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Son, N. T.*; 梅田 享英*; 磯谷 順一*; Gali, A.*; Bockstedte, M.*; Magnusson, B.*; Ellison, A.*; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義; et al.
Physica B; Condensed Matter, 376-377, p.334 - 337, 2006/04
被引用回数:3 パーセンタイル:17.95(Physics, Condensed Matter)六方晶炭化ケイ素(4H-SiC)の固有欠陥解明研究の一環として、P6/P7とラベル付けされた格子欠陥(センター)を電子常磁性共鳴(EPR)法及び理論計算(ab initio)法を用いて調べた。室温または850Cでの3MeV電子線照射により4H-SiC中にP6/P7センターを導入し、EPR測定を行った結果、P6/P7センターの近接炭素及びシリコン原子の超微細相互作用定数が電気的に中性の複空孔(VV)に対する計算値と非常によく一致することがわかった。これにより、正に帯電した炭素空孔と炭素アンチサイト対の光励起三重項状態(VC)と従来考えられていたP6/P7センターが、C/C対称性を有するVVの三重基底状態に起因すると結論できた。
Son, N. T.*; 梅田 享英*; 磯谷 順一*; Gali, A.*; Bockstedte, M.*; Magnusson, B.*; Ellison, A.*; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義; et al.
Materials Science Forum, 527-529, p.527 - 530, 2006/00
電子常磁性共鳴(EPR)を用いて六方晶炭化ケイ素(4H-, 6H-SiC)中の欠陥センターであるP6/P7の構造同定を行った。試料はn型,p型の4H-及び6H-SiC及び高品質半絶縁4H-SiCを用いた。室温または850Cでの3MeV電子線照射(210110/cm)によりP6/P7センターを導入した。低温(8K及び77K)でのC及びSiの超微細相互作用を調べた結果、P6及びP7センターは、それぞれ、結晶のC軸に垂直または平行なシリコン空孔(V)と炭素空孔(V)の複空孔(V-V)であると決定できた。
河裾 厚男; 岡田 漱平
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 36(2), p.605 - 611, 1997/00
被引用回数:5 パーセンタイル:32.62(Physics, Applied)電子線照射によってp型シリコン中に生成する電気的に中性な複空孔に起因する陽電子捕獲の温度効果を5.5Kから210Kの範囲で決定した。従来、複空孔の荷重状態が中性である場合、陽電子捕獲率は温度依存性を持たないと考えられていた。本研究では、複空孔の荷重状態を電子スピン共鳴の吸収、赤外吸収及びホール効果測定によって多重に確認した。実験の結果、複空孔の荷重状態が中性のときでも、陽電子捕獲率が極めて強い温度依存性を持つことが判明した。即ち、温度低下により捕獲率は増大し、30K付近にピークを示し、再び15K以下で増加することが見い出された。この振舞いは、従来提唱されていた陽電子捕獲の理論モデルからは、説明されない。我々は、それが共鳴現象に対するBreite-Wignerの一準位公式によりよく再現されることを見い出した。これより、中性の複空孔は、陽電子に対して共鳴準位を持つと考えられる。